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J-GLOBAL ID:200903024314717432
狭ギャップ充填用途の誘電フィルム
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (5):
川口 義雄
, 一入 章夫
, 小野 誠
, 大崎 勝真
, 坪倉 道明
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003562989
Publication number (International publication number):2005516394
Application date: Jan. 18, 2002
Publication date: Jun. 02, 2005
Summary:
溶媒中に分散した高密度材料からなるナノ粒子のコロイド状懸濁液が、熱収縮の小さいギャップ充填誘電材料を形成するのに使用される。誘電材料は金属化前誘電体および浅溝絶縁の用途に特に有用である。誘電材料を形成する方法によれば、コロイド状懸濁液を基板上に被着し、乾燥して多孔質の中間層を形成する。中間層は、スピン塗工ポリマーなどの液相マトリックス材料で浸透し、続けて硬化すること、また、気相マトリックス材料で浸透し、続けて硬化すること、あるいは硬化のみによって改変され、ギャップ充填性のある、熱的に安定な、エッチング抵抗性のある誘電材料を提供する。
Claim (excerpt):
プロセスが、
コロイド状分散体を基板上に被着させ、前記コロイド状分散体が溶媒中に分散した高密度材料の粒子を含み、前記高密度材料が誘電材料あるいは酸化または窒化によって誘電材料に転換可能な材料であること、
前記コロイド状分散体を乾燥して中間層を形成すること、
前記中間層をマトリックス材料で浸透して浸透された層を形成すること、および、
前記浸透した層を硬化し、それによって浸透した層を改変して誘電層を形成することを含む、基板上に誘電層を形成するプロセス。
IPC (3):
H01L21/316
, H01L21/76
, H01L21/768
FI (3):
H01L21/316 G
, H01L21/90 Q
, H01L21/76 L
F-Term (27):
5F032AA34
, 5F032AA44
, 5F032AA45
, 5F032AA47
, 5F032AA49
, 5F032AA54
, 5F032DA01
, 5F032DA02
, 5F033HH04
, 5F033RR03
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR09
, 5F033RR13
, 5F033RR14
, 5F033RR15
, 5F033RR23
, 5F033RR25
, 5F033SS22
, 5F033XX02
, 5F033XX03
, 5F033XX12
, 5F058BA09
, 5F058BF46
, 5F058BH07
, 5F058BJ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
絶縁膜及びその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-179848
Applicant:富士通株式会社
-
陽極結合用ガラス被覆体の形成方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平8-521975
Applicant:フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァーフェーデルングデアアンゲバンテンフォルシュングエーファー
-
半導体素子、その製造方法および半導体素子製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-105218
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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