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J-GLOBAL ID：200903025443415627

リソグラフィ用反射防止ハードマスク組成物およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法

Inventor：
カテリナ・バビーシュ

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アーパン・ピー・マホロワラ

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デヴィッド・アール・メデイロス

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ディルク・パイファ

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Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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Agent (3)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004223337
Publication number (International publication number)：2005055893
Application date： Jul. 30, 2004
Publication date： Mar. 03, 2005
Summary：
【課題】半導体デバイスを加工するための組成物および技術を提供すること、より詳細には、本発明の一態様で反射防止ハードマスク組成物を提供し、本発明の別の態様で半導体デバイスの加工方法を提供する。【解決手段】本発明の組成物は、完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン、{RSiO1.5}n(但し、nは8である)と、少なくとも1つの発色団部分および透明部分とを含む。本発明の方法は、基板上に材料層を設けるステップと、この材料層の上に反射防止ハードマスク層を形成するステップとを含む。この反射防止ハードマスク層は、完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン、{RSiO1.5}n(但し、nは8である)と、少なくとも1つの発色団部分および透明部分とを含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン、{RSiO1.5}n(但し、nは8である)と、 少なくとも1つの発色団部分および透明部分と を含む反射防止ハードマスク組成物。
IPC (5)：
G03F7/11 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312
FI (5)：
G03F7/11 503 ,  G03F1/14 F ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/312 C ,  H01L21/30 502P
F-Term (19)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB20 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025DA34 ,  2H095BB03 ,  2H095BC14 ,  2H097LA10 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AD08 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (23)
  • 米国特許第4,371,605号
  • 米国特許第5,562,801号
  • 米国特許第5,618,751号
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Cited by examiner (6)
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