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J-GLOBAL ID：200903038878692775

反射防止膜形成用組成物及びレジストパターンの形成方法

Inventor：
坂本 好謙

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渋谷 達彦

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脇屋 和正

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井口 悦子

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大森 克実

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山田 知孝

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萩原 嘉男

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Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

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Agent (1)： 服部 平八
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999265408
Publication number (International publication number)：2001092122
Application date： Sep. 20, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】ドライエッチング速度がホトレジストに比べて速い反射防止膜形成用組成物を提供する。【解決手段】(A)(i)一般式化1Si(OR1)a(OR2)b(OR3)c(OR4)d(式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基)で表わされる化合物、(ii)一般式化2R5Si(OR6)e(OR7)f(OR8)g(式中、R5は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R6、R7及びR8はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基)で表わされる化合物及び(iii)一般式化3R9R10Si(OR11)h(OR12)i(式中、R9及びR10は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R11及びR12はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基)で表わされる化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物、(B)前記(A)成分と縮合し得る置換基をその構造中に有する少なくとも1種の高吸光性物質を含有することを特徴とする反射防止膜形成用組成物。
Claim (excerpt)：
(A)(i)一般式化1【化1】Si(OR1)a(OR2)b(OR3)c(OR4)d(式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、a、b、c及びdは、0≦a≦4、0≦b≦4、0≦c≦4、0≦d≦4であって、かつa+b+c+d=4の条件を満たす整数である)で表わされる化合物、(ii)一般式化2【化2】R5Si(OR6)e(OR7)f(OR8)g(式中、R5は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R6、R7及びR8はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基、e、f及びgは、0≦a≦3、0≦b≦3、0≦c≦3、0≦d≦3であって、かつe+f+g=3の条件を満たす整数である)で表わされる化合物及び(iii)一般式化3【化3】R9R10Si(OR11)h(OR12)i(式中、R9及びR10は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R11及びR12はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基、h及びiは、0≦h≦2、0≦i≦2であって、かつh+i=2の条件を満たす整数である)で表わされる化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物、(B)前記(A)成分と縮合し得る置換基をその構造中に有する少なくとも1種の高吸光性物質を含有することを特徴とする反射防止膜形成用組成物。
IPC (3)：
G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 574
F-Term (18)：
2H025AA00 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025DA34 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  5F046PA01 ,  5F046PA02 ,  5F046PA09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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