半導体装置及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999101621
Publication number (International publication number)：2000294777
Application date： Apr. 08, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】高温アニール時に生じるバンチングステップの間の平坦な部分をMOSFET等の電界効果型トランジスタのチャネル部分に利用し、高いキャリア移動度と優れた素子特性を持つ炭化硅素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】高温アニール時に生じるバンチングステップ8の間の平坦部9をMOSFET等の電界効果型トランジスタのチャネル部分7に利用する。また、チャネルのキャリアの移動方向がバンチングステップを横切らないようなチャネルの方向を持つ構造をし、また、ステップバンチングの位置を制御するための意図的に作製した立体的な凸凹構造の表面を持った炭化硅素基板を有し、アニール後に表面部分をエッチングにより取り除く作製を行う。

Claim (excerpt)：

炭化硅素半導体材料を用いた半導体装置において、高温アニール時に形成されたバンチングステップ間の平坦部分を電界効果型トランジスタのチャネルとしたことを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 H

F-Term (5)：

5F040DA00 , 5F040DA05 , 5F040DC01 , 5F040EE02 , 5F040EF01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

高チャネル移動度を有するSiC半導体装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-544401 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
SiC半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-162922 Applicant：三菱電機株式会社
半導体ヘテロ界面形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-259759 Applicant：松下電器産業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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