高反射率オーミックコンタクトを有するAlGaInNフリップ・チップ発光デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002095381
Publication number (International publication number)：2002335014
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高反射率オーミックコンタクトを有するIII-窒化物系発光ダイオードデバイスを提供する。【解決手段】エピタキシーサイドダウン型すなわち反転型III-窒化物発光デバイス(LED)において、半透明で、高反射率を持ち、優れた電流拡散を行なうn型電極22及びp型電極金属被覆20を有する、高反射率オーミックコンタクトを備える。このn型電極及びp型電極の各々における入射光の吸収率は、LED活性領域のピーク発光波長において、通過当り25%未満に減少する。

Claim (excerpt)：

n型層とp型層と発光層とを有し、前記n型層とp型層とを介在させるとともに光λを放射可能な反転型AlInGaNヘテロ接合デバイス、及び2つの電極を備え、前記2つの電極の一方は、前記n型層に接続されたn型電極であり、前記2つの電極の他方は、前記p型層に接続されたp型電極であり、且つ、前記電極の各々は、前記発光層によって放射される光に対し80%を超える垂直入射反射率を有することを特徴とする発光デバイス。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

F-Term (24)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041AA23 , 5F041AA33 , 5F041AA37 , 5F041BB07 , 5F041BB25 , 5F041CA13 , 5F041CA14 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041CA93 , 5F041CB15 , 5F041CB25 , 5F041CB36 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041DA12 , 5F041DA26 , 5F041DA35 , 5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

GaN系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-284899 Applicant：松下電子工業株式会社
電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-345585 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-287623 Applicant：松下電子工業株式会社

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