発光ダイオード構造

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西脇民雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006063733
Publication number (International publication number)：2007036186
Application date： Mar. 09, 2006
Publication date： Feb. 08, 2007
Summary：

【課題】フォトニック結晶基板のエピタキシャルの質を向上させ且つLED構造の発光効率を増加させることである。【解決する手段】このLED構造は、表面と円筒形フォトニック結晶とを有する基板と、第1型ドーピング半導体層と、第1電極と、発光層と、第2型ドーピング半導体層と、第2電極と、を備えている。前記第1型ドーピング半導体層は、前記基板に配置され、前記フォトニック結晶をカバーする。前記発光層と、前記第2型ドーピング半導体層と、前記2電極とは、順次、前記第1型ドーピング半導体層の一部分に形成されている。前記第1電極は、前記発光層によりカバーされない前記第1型ドーピング半導体の他の部分に配置されている。フォトニック結晶を有する基板は前記第1型ドーピング半導体層のエピタキシャルの質を向上させるとともに、LEDの前方への光のエネルギーを高めるため、前記LEDの発光効率が有効に向上される。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

表面と複数のフォトニック結晶とを有する基板と、該基板に配置され該フォトニック結晶をカバーする第1型ドーピング半導体層と、該第1型ドーピング半導体層の一部分に配置された発光層と、該発光層に配置された第2型ドーピング半導体層と、前記発光層によりカバーされない前記第1型ドーピング半導体の一部分に配置されている第1電極と、前記第2型ドーピング半導体層に配置された第2電極と、を備えていることを特徴とする発光ダイオード(LED)構造。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 A

F-Term (4)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA46

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

LEDおよびLEDの組立方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-024950 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

Cited by examiner (3)

基板表面処理方法及びIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-283902 Applicant：豊田合成株式会社
半導体面発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-122720 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-119223 Applicant：松下電器産業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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