半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (10)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004119223
Publication number (International publication number)：2005005679
Application date： Apr. 14, 2004
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】窒化物系化合物半導体を用いた高効率な半導体発光素子を量産性高くかつ低価格で提供する。【解決手段】p-GaN層4に2次元周期構造の凹凸を形成し、前記凹凸の周期が活性層3から放射される光の半導体中での波長の1〜20倍とする。その結果、2次元周期構造の凹凸による回折効果のため、活性層3から放射される光の進行方向が変わる。凹凸がない場合には、半導体素子と空気との界面での全反射条件を満たす放射角度の光は半導体素子の外へ取り出すことができず、素子の発光効率が低い。一方、本発明のような周期で2次元の凹凸を形成すると、全反射とならない角度に光が回折されるため半導体素子外への取り出し効率が飛躍的に向上する。その結果、素子の発光効率を向上することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物を含み、活性層を有する半導体多層膜と、前記半導体多層膜の上に設けられ、上面に2次元周期構造の凹凸を有し、前記活性層からの光を前記凹凸において回折して前記半導体多層膜の外部に導く透明層とを有する素子を備える、半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (12)：

5F041AA03 , 5F041AA09 , 5F041AA42 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CB36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-064003 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
分散光源装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-145019 Applicant：株式会社リコー
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-366803 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Applied Physics Letters, 2001, 78[5], p.563-565

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