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J-GLOBAL ID：200903026003913257

磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor：
伊藤 洋

About 伊藤 洋


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000395723
Publication number (International publication number)：2002197853
Application date： Dec. 26, 2000
Publication date： Jul. 12, 2002
Summary：
【要約】【課題】 センス時のリファレンス電位を正確に生成する。【解決手段】 バイアス電圧発生回路21は、メモリセルを模した磁気抵抗素子RrefとMOSトランジスタQN3からなる直列回路を有する。磁気抵抗素子RrefのMR比は、メモリセル内の磁気抵抗素子のMR比の半分に設定されている。調整用抵抗rは、ビット線の配線抵抗の半分の抵抗値を有する。降圧用MOSトランジスタQP1のゲートは、ビット線に対するセンス電流源としてのMOSトランジスタのゲートに接続され、両MOSトランジスタによりカレントミラー回路が構成されている。Vbiasが出力され、バイアス電圧発生回路21に定電流が流れると、ビット線にも、この定電流に等しいセンス電流が流れる。ビット線の電位は、メモリセル内の磁気抵抗素子の状態により変化する。
Claim (excerpt)：
絶縁層により分離された複数の磁性層から構成され、前記複数の磁性層の磁化の状態に応じた2つの抵抗値が得られる磁気抵抗素子を有するメモリセルと、前記メモリセルに接続されるビット線と、前記ビット線及び前記メモリセルにセンス電流を流すためのセンス電流源と、前記ビット線及び前記メモリセルに前記センス電流を流したときの前記ビット線の電位をリファレンス電位と比較して、前記メモリセルのデータを検出するセンスアンプと、前記リファレンス電位を生成するためのリファレンスセルを有するバイアス電圧発生回路とを具備し、前記リファレンスセルは、前記磁気抵抗素子が持つ前記2つの抵抗値の中間の抵抗値を有していることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4)：
G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (6)：
G11C 11/14 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 A ,  H01L 27/10 447
F-Term (4)：
5F083FZ10 ,  5F083LA03 ,  5F083LA08 ,  5F083LA09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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