CMOS半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：堀口浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005036575
Publication number (International publication number)：2006222385
Application date： Feb. 14, 2005
Publication date： Aug. 24, 2006
Summary：

【課題】従来のメタルゲート技術では、nMOSFET及びpMOSFETのゲート電極が異なる金属で形成され、製造プロセスが複雑化するという問題があった。本発明では、nMOSFETとpMOSFETで同一のメタルゲート有し、集積化容易なCMOS半導体装置を提供する。【解決手段】 nMOSFET、pMOSFETから形成される半導体装置において、nMOSFET、pMOSFETの前記金属ゲート電極は、Ti、Zr、Hf、Ta及びLa等の希土類金属元素、もしくはこれら金属のボライド、シリサイド、ジャーマナイド化合物のいずれか一つの同一の金属材料からなり、nMOSFET及びpMOSFETの前記絶縁膜の少なくとも金属電極側は異なる絶縁膜材料としたことを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された金属ゲート電極とを具備するnMOSFET及びpMOSFETから形成される半導体装置において、nMOS FET及びpMOSFETの前記金属電極はTi、Zr、Hf、Ta及びLa等の希土類金属元素、もしくはこれら金属のボライド、シリサイド、ジャーマナイド化合物のいずれか一つの同一の金属材料からなり、nMOSFET及びpMOSFETの前記絶縁膜の少なくとも金属電極側は異なる絶縁膜材料からなることを特徴とするCMOS半導体装置。

IPC (6)：

H01L 27/092 , H01L 21/823 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (4)：

H01L27/08 321D , H01L21/28 301R , H01L21/283 C , H01L29/58 G

F-Term (33)：

4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB34 , 4M104BB35 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH20 , 5F048AA09 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB15 , 5F048BB17 , 5F048BC05 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-082174 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-082614 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-381357 Applicant：株式会社東芝

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