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J-GLOBAL ID：200903069264910043

異種のゲート絶縁膜を有する半導体素子及びその製造方法

Inventor：
李 鐘 鎬

About 李 鐘 鎬

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姜 虎 圭

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丁 炯 碩

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都 昔 柱

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金 潤 ▲せき▼

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Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

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Agent (5)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004329176
Publication number (International publication number)：2005150737
Application date： Nov. 12, 2004
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：
【課題】 異種のゲート絶縁膜を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1及び第2トランジスタ素子を含む半導体素子。第1素子は第1基板領域、第1ゲート電極、及び第1ゲート絶縁膜を含み、第1ゲート絶縁膜は第1基板領域と第1ゲート電極間に位置する。第2素子は第2基板領域、第2ゲート電極、及び第2ゲート絶縁膜を含み、第2ゲート絶縁膜は第2基板領域と第2ゲート電極間に位置する。第1ゲート絶縁膜は誘電定数が8以上である第1高誘電物質膜を含み、同様に、第2ゲート絶縁膜は誘電定数が8以上である第2高誘電物質膜を含む。第2高誘電物質膜は第1高誘電物質膜とは異なる物質である。【選択図】 図7H
Claim (excerpt)：
第1基板領域、第1ゲート電極、及び前記第1基板領域と第1ゲート電極との間に位置する第1ゲート絶縁膜を具備する第1トランジスタと、 第2基板領域、第2ゲート電極、及び前記第2基板領域と第2ゲート電極との間に位置する第2ゲート絶縁膜を具備する第2トランジスタと、を含み、 前記第1ゲート絶縁膜は誘電定数が8以上である第1高誘電物質膜を含み、前記第2ゲート絶縁膜は誘電定数が8以上である第2高誘電物質膜を含み、前記第2高誘電物質膜は前記第1高誘電物質膜とは異なる物質であることを特徴とする半導体素子。
IPC (3)：
H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78
FI (2)：
H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G
F-Term (29)：
5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F140AA00 ,  5F140AA19 ,  5F140AB03 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 米国特許第6,559,051 B1号公報
  • 米国特許第6,621,114 B1号公報
  • 米国特許公開第2001-0023120 A1号公報
Cited by examiner (12)
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