高効率間接遷移型半導体紫外線発光素子

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007114981
Publication number (International publication number)：2008078611
Application date： Apr. 25, 2007
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：

【課題】間接遷移型半導体でありながら直接遷移型半導体と同程度の内部量子効率を持つ紫外線発光素子を提供する。【解決手段】励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層あるいはpn接合による活性領域を形成し、活性層あるいは活性領域に電流注入する電極を有する内部量子効率が10%以上であることを特徴とする発光素子。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層あるいはpn接合による活性領域を形成し、活性層あるいは活性領域に電流注入する電極を有する内部量子効率が10%以上であることを特徴とする発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 A

F-Term (14)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041CA02 , 5F041CA12 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA74 , 5F041CA93 , 5F041CB11 , 5F041FF11 , 5F041FF16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

ダイヤモンド高輝度紫外線発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-236938 Applicant：東京瓦斯株式会社
ダイヤモンド紫外光発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-368095 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
ダイヤモンド半導体およびダイヤモンド半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-089516 Applicant：経済産業省産業技術総合研究所長, 大串秀世, 竹内大輔, 梶村皓二

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Cited by examiner (10)

ダイヤモンド高輝度紫外線発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-236938 Applicant：東京瓦斯株式会社
ダイヤモンド紫外光発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-368095 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
ダイヤモンド半導体およびダイヤモンド半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-089516 Applicant：経済産業省産業技術総合研究所長, 大串秀世, 竹内大輔, 梶村皓二

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