半導体素子、半導体センサーおよび半導体記憶素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003071584
Publication number (International publication number)：2004281742
Application date： Mar. 17, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】下部電極を有するMFMIS構造と集積回路を一体化することができる半導体素子、半導体センサーおよび半導体記憶素子を提供する。【解決手段】半導体単結晶基板1上にエピタキシャル成長されたγ-Al2 O3 単結晶膜2を有し、そのγ-Al2 O3 単結晶膜2上にエピタキシャル単結晶Pt薄膜3を有する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

半導体単結晶基板上にエピタキシャル成長されたγ-Al2 O3 単結晶膜を有し、該γ-Al2 O3 単結晶膜上にエピタキシャル単結晶Pt薄膜を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (4)：

H01L27/105 , H01L21/8247 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (2)：

H01L27/10 444A , H01L29/78 371

F-Term (9)：

5F083FR07 , 5F083HA07 , 5F083JA02 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F101BA62

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

薄膜赤外線センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-267682 Applicant：株式会社堀場製作所
半導体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-057293 Applicant：石田誠, 旭化成株式会社
シリコンカンチレバー及びこれを用いた超音波センサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-061097 Applicant：三洋電機株式会社

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