高さ検査方法、それを実施する高さ検査装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：土井健二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997203539
Publication number (International publication number)：1998227618
Application date： Jul. 29, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】半導体チップ表面のバンプ端子の頂点の高さを精度良く検査する方法と装置の提供をする。【解決手段】反射率の異なる領域を有する被検査物の表面に、所定の強度の入射光を走査し、その表面からの反射光を光点位置検出手段に結像させ、その結像した光点位置を検出することにより前記表面の高さを検知する高さ検査方法において、反射率の高い第一の領域41を囲みその周辺の反射率の低い第二の領域45では、当該高い反射率でも前記光点位置検出手段が飽和しない程度の低い第一の入射光強度で走査を行う工程と、該反射光の結像光の光量が所定の閾値を越えたことを検知したら、前回の走査時の該検知光量と入射光強度から求めた適切な第二の入射光強度で走査を行う工程とを有することを特徴とする。上記の第二の入射光強度は、前回の走査時の入射光強度とその時の検知光量から、演算により求められる。

Claim (excerpt)：

反射率の異なる領域を有する被検査物の表面に所定の強度の入射光を走査し、その表面からの反射光を光点位置検出手段に結像させ、その結像した光点位置から前記表面の高さを検知する高さ検査方法において、反射率の高い第一の領域を囲みその周辺の反射率の低い第二の領域では、当該高い反射率でも前記光点位置検出手段が飽和しない程度の低い第一の入射光強度で走査を行う工程と、該反射光の結像光の光量が所定の閾値を越えたことを検知したら、前回の走査時の該検知光量と該入射光強度から求めた適切な第二の入射光強度で走査を行う工程とを有することを特徴とする高さ検査方法。

IPC (3)：

G01B 11/02 , H01L 21/66 , H01L 21/321

FI (5)：

G01B 11/02 Z , H01L 21/66 J , H01L 21/66 R , H01L 21/66 Z , H01L 21/92 604 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

共焦点光学装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-161693 Applicant：株式会社小松製作所
微小物体の高さ計測方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-143073 Applicant：富士通株式会社
走査型レーザ変位計
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-009622 Applicant：日本電気株式会社

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