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J-GLOBAL ID：200903088760629766

多結晶シリコンの製造方法

Inventor： 安 ▲ビョン▼胎 ,  孫 東均
Applicant, Patent owner： エルジー電子株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995339545
Publication number (International publication number)：1996250423
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【課題】低い温度で熱処理し、高価のSi2H6に代えて安価なSiH4ガスを使用することにより、ガラス基板等の低価の基板を使用でき、且つ大面積の多結晶シリコン薄膜を経済的に製遺し得る方法を提供すること。【解決手段】本発明の多拮晶シリコンの製造方法は、基板を設ける工程と、基板上に非結晶シリコンを堆積する工程と、非結晶シリコンに金属を吸着させる工程と、非結晶シリコンを熱処理して結晶化する工程とを包含する。

Claim (excerpt)：

基板を設ける工程と、該基板上に非結晶シリコンを堆積する工程と、該非結晶シリコンに金属を吸着させる工程と、該非結晶シリコンを熱処理して結晶化する工程と、を包含する多結晶シリコンの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• 半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-048531   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-166115   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-142881   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶シリコン膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-210795   Applicant：シヤープ株式会社
• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-092886   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平2-148774
  
• 特開平4-293228
  
• 多結晶シリコン薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-000551   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-291714
  
• 半導体作製方法およびその作製装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-319223   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置作製方法および結晶成長促進剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-331608   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所