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J-GLOBAL ID:200903027270390880

水素溶解装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 景山 憲二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000205264
Publication number (International publication number):2002018253
Application date: Jul. 06, 2000
Publication date: Jan. 22, 2002
Summary:
【要約】【課題】 簡単な構成で必要な濃度の水素溶解水を製造する。【解決手続】 水素溶解装置は、充填材13aの入れられた気液接触層13上に散水ノズル12で超純水を供給して滞留部11に溜めるようにした溶解槽1、この中の水を循環させると共に製造された水素含有水を送水するようにした循環系2、その系に設けられ水素を混合供給するエゼクタ3、原料水としての超純水を供給する供給系4、等によって構成される。【効果】 装置構成が簡単で、半導体関連製品の高度表面処理に十分な濃度である1ppm 程度以上の高濃度の水素含有水を製造することができる。
Claim (excerpt):
供給される原料水に供給される水素を溶解させて水素含有水にする水素溶解装置において、前記原料水が入れられ前記水素含有水が取り出されるように形成された縦長形状の容器であって前記水素を前記原料水と向流接触させて前記原料水に溶存している酸素を含む気体を脱気すると共に前記水素を溶解させる容器を有することを特徴とする水素溶解装置。
IPC (5):
B01F 3/04 ,  B01D 19/00 ,  B01D 53/14 ,  B01F 1/00 ,  B01F 5/18
FI (5):
B01F 3/04 F ,  B01D 19/00 F ,  B01D 53/14 C ,  B01F 1/00 A ,  B01F 5/18
F-Term (12):
4D011AA15 ,  4D020AA01 ,  4D020BA23 ,  4D020BC01 ,  4D020CB01 ,  4D020CB08 ,  4D020CB25 ,  4G035AA02 ,  4G035AB15 ,  4G035AB28 ,  4G035AC30 ,  4G035AC37
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (6)
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