半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001322926
Publication number (International publication number)：2002368267
Application date： Oct. 22, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】転位密度の大小に関係なく、任意の色度の光を生成することのできるLED、特に三原色以上の白色LEDとして好適に使用することが可能な、新規な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子20を構成する下地層2を、AlN層から構成し、第1のクラッド層3を前記高結晶AlN層よりも格子定数の大きいn-GaNから構成する。また、発光層5をi-GaNからなる基層17と、この基層中に、互いに孤立するようにして形成されたi-AlGaInNからなる島状結晶12-1〜12-5とから構成する。そして、基層17及び島状結晶12-1〜12-5の少なくとも一方に、少なくとも一種の希土類元素を含有させる。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上にAl、Ga及びInの少なくとも一つを含む第1の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上に形成されたAl、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第2の窒化物半導体からなる第1の導電層と、この第1の導電層上に形成されたAl、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第3の窒化物半導体からなる第1のクラッド層と、この第1のクラッド層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第4の窒化物半導体からなる基層中に、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含み、前記第3の窒化物半導体よりも面内格子定数の大きい第5の窒化物半導体からなる、それぞれが孤立した複数の島状結晶を含んでなる発光層と、この発光層上に形成されたAl、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第6の窒化物半導体からなる第2のクラッド層と、この第2のクラッド層上に形成されたAl、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第7の窒化物半導体からなる第2の導電層とを具え、前記第1のクラッド層を構成する前記第3の窒化物半導体のバンドギャップ、前記基層を構成する前記第4の窒化物半導体のバンドギャップ、及び前記島状結晶を構成する前記第5の窒化物半導体のバンドギャップが、この順に大きくなっており、前記発光層を構成する前記基層及び前記複数の島状結晶の少なくとも一方は、希土類元素及び遷移金属元素から選ばれる少なくとも一種の元素を添加元素として含有し、発光層全体として任意の色度の光を生成するようにしたことを特徴とする、半導体発光素子。

F-Term (9)：

5F041AA12 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041FF01 , 5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

GaN系半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-155838 Applicant：三菱電線工業株式会社, 理化学研究所, 田中悟
GaN系量子ドット構造の製造方法およびその用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-155841 Applicant：三菱電線工業株式会社, 理化学研究所, 田中悟
GaN系半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-156104 Applicant：三菱電線工業株式会社, 理化学研究所, 田中悟

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