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J-GLOBAL ID:200903027628557706

ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランク、ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 韮澤 弘 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996053115
Publication number (International publication number):1997244211
Application date: Mar. 11, 1996
Publication date: Sep. 19, 1997
Summary:
【要約】【課題】 ショットが重なる部分に遮光帯を容易に形成でき、パターニング前に十分な導電性を持つハーフトーン位相シフトフォトマスク。【解決手段】 ブランクは、透明基板上504に、少なくともフッ化クロム化合物を主体とする層を含むハーフトーン位相シフト膜705と、クロムを主体とし単層又は多層からなるフッ素原子を実質的に含まない実質的な遮光膜706とが積層されてなり、これらをパターニングすることにより、ハーフトーン位相シフト膜705はハーフトーン位相シフターパターンを構成し、クロムを主体とし単層又は多層からなるフッ素原子を実質的に含まない実質的な遮光膜706はステッパーを用いた転写時に隣接するショット同士で重ねて露光される領域を遮光する。
Claim (excerpt):
透明基板上に、少なくともフッ化クロム化合物を主体とする層を含むハーフトーン位相シフト膜と、クロムを主体とし単層又は多層からなるフッ素原子を実質的に含まない実質的な遮光膜とが積層されていることを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランク。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (4):
G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 G ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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