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J-GLOBAL ID：200903027733073897

メモリ機能体および微粒子形成方法並びにメモリ素子、半導体装置および電子機器

Inventor：
洗 暢俊

About 洗 暢俊

, 
柿本 誠三

About 柿本 誠三

, 
岩田 浩

About 岩田 浩


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003067659
Publication number (International publication number)：2004281498
Application date： Mar. 13, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：
【課題】良好な特性が安定して得られるメモリ機能体と、良好な特性の微粒子が、比較的少ない手間で安定して得られる微粒子の形成方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板100の表面に、熱酸化工程により、シリコン酸化膜110を形成し、このシリコン酸化膜110中に、負イオン注入法によって銀を注入する。負イオン注入法によれば、シリコン酸化膜110の帯電が回避できるので、シリコン酸化膜110中の銀イオンの分布を高精度に設定でき、また、シリコン酸化膜110の劣化を回避できる。熱処理を行なって、注入した銀を凝集または拡散して、銀微粒子120を形成する。引き続き、酸化雰囲気中で熱処理を行なって、銀微粒子120の表面部分を酸化して、表面が酸化銀140で覆われた銀微粒子130を形成する。銀微粒子130が電荷を保持する際、酸化銀140によって電荷のリークが効果的に防止される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1の導電体と第2の導電体との間に形成されていると共に、第1の材料からなる媒体と、 上記媒体中に形成され、第2の材料で覆われていると共に第3の材料からなる少なくとも1つの微粒子とを備え、 上記第2の材料は、電荷の通り抜けに対する障壁として働く材料であり、 上記第3の材料は、電荷を保持する機能を有する材料であることを特徴とするメモリ機能体。
IPC (5)：
H01L21/8247 ,  H01L21/265 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (4)：
H01L29/78 371 ,  H01L21/265 602A ,  H01L27/10 434 ,  H01L21/265 Y
F-Term (22)：
5F083EP17 ,  5F083ER30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA19 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR37 ,  5F101BA44 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BH03 ,  5F101BH10 ,  5F101BH13 ,  5F101BH16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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