p伝導形3族窒化物半導体の電極パッド及びそれを有した素子及び素子の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996160885
Publication number (International publication number)：1997320984
Application date： May. 31, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】電極パッドにおいて、オーミック性の改善、接触抵抗の低下、3族窒化物半導体に対する接合強度の向上、保護膜による保護性能を向上させる。【解決手段】p伝導形3族窒化物から成る半導体72の電極パッド9において、半導体の上に形成された電極層8上に第1金属層91と第2金属層92と第3金属層93とが積層されている。第3金属層93の上部から覆いエッチングにより第3金属層93の中央部が露出するように窓9Aの形成された保護膜11を形成する。そして、第1金属層91の構成元素は第2金属層92の構成元素よりもイオン化ポテンシャルの低い元素とし、第2金属層92の構成元素は金(Au)とし、第3金属層93の構成元素は保護膜に対する接合性が金(Au)よりも強い元素とした。この構成により、保護膜11と第3金属層93との密着性が向上し、エッチング時に保護膜11が横方向にエッチングされることが防止される。

Claim (excerpt)：

p伝導形3族窒化物から成る半導体の電極パッドにおいて、前記半導体の上に直接又は前記半導体の上に形成された電極層上に、積層して形成された少なくとも第1金属層と第2金属層と第3金属層と、前記第3金属層の上部から覆いエッチングにより第3金属層の中央部が露出するように窓の形成された保護膜とを有し、前記第1金属層の構成元素は前記第2金属層の構成元素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素とし、前記第2金属層の構成元素は金(Au)とし、前記第3金属層の構成元素は前記保護膜に対する接合性が金(Au)よりも強い元素としたことを特徴とするp伝導形3族窒化物半導体の電極パッド。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/28 301 R , H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-253171 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-124890 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-085492 Applicant：日亜化学工業株式会社

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