半導体基板及び半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：柳瀬睦肇 , 渡部温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006076987
Publication number (International publication number)：2007258230
Application date： Mar. 20, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：

【課題】製造に必要な工程数が増加せず、かつGaN層の結晶性が向上した半導体基板を提供する。【解決手段】Si基材1上に形成された第1のAlaGabIn1-a-bNv(0≦a≦1、0≦b≦1、かつ0≦a+b≦1)層2と、第1のAlaGabIn1-a-bNv層2上に形成された第2のAlcGadIn1-c-dNw層3と、第2のAlcGadIn1-c-dNw層3上に位置し、第3のAleGafIn1-e-fNx(0≦e≦1、0≦f≦1、かつ0≦e+f≦1)層及び第4のAlgGahIn1-g-hNy(0≦g≦1、0≦h≦1、かつ0≦g+h≦1)層を交互に積層した多層膜4と、多層膜4上に形成された第5のAliGajIn1-i-jNz(0≦i≦1、0≦j≦1、かつ0≦i+j≦1)層5とを具備し、多層膜4における第3のAleGafIn1-e-fNx層と第4のAlgGahIn1-g-hNy層の積層数は160層以下である。ただし、v、w、x、y、zは正数である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Si基材上に形成された第1のAlaGabIn1-a-bNv(0≦a≦1、0≦b≦1、かつ0≦a+b≦1)層と、前記第1のAlaGabIn1-a-bNv層上に形成された第2のAlcGadIn1-c-dNw(0≦c≦1、0≦d≦1、かつ0≦c+d≦1)層と、前記第2のAlcGadIn1-c-dNw層上に位置し、第3のAleGafIn1-e-fNx(0≦e≦1、0≦f≦1、かつ0≦e+f≦1)層及び第4のAlgGahIn1-g-hNy(0≦g≦1、0≦h≦1、かつ0≦g+h≦1)層を交互に積層した多層膜と、前記多層膜上に形成された第5のAliGajIn1-i-jNz(0≦i≦1、0≦j≦1、かつ0≦i+j≦1)層と、を具備し、前記多層膜における前記第3のAleGafIn1-e-fNx層と前記第4のAlgGahIn1-g-hNy層の積層数は160層以下であることを特徴とする半導体基板。ただし、v、w、x、y、zは正数である。

IPC (4)：

H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (2)：

H01L21/205 , H01L29/80 H

F-Term (23)：

5F045AA04 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AF03 , 5F045BB11 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F045DA57 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GL16 , 5F102GM04 , 5F102GM10 , 5F102GN04 , 5F102GN10 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (15)

電界効果トランジスタの結晶層構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-195346 Applicant：エス・シー・テクノロジー株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-248735 Applicant：サンケン電気株式会社
半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-084934 Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社

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Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-248735 Applicant：サンケン電気株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法およびその素子。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-292303 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-084934 Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社

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