半導体装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：和泉良彦 , 小林茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005032680
Publication number (International publication number)：2006222191
Application date： Feb. 09, 2005
Publication date： Aug. 24, 2006
Summary：

【課題】エンハンスメント型の電界効果トランジスタ特性を有する窒化物系ヘテロ構造電界効果トランジスタである半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体表面近傍に、薄層チャネル層半導体層2が上側障壁層半導体層1と下側障壁層半導体層3との間に挟まれて設置されており、かつ、下側障壁層半導体層3には組成傾斜(層を構成する半導体の組成が層の厚さ方向に単調に変化していること)が設けられており、下側障壁層半導体層3と、その下の内部小バンドギャップ半導体層4とは、組成の不連続なしに連結されていることを特徴とする窒化物系ヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体を用いて基板上に形成されたヘテロ構造電界効果トランジスタである半導体装置において、薄層チャネル層半導体層と、該薄層チャネル層半導体層よりも該基板から遠い側に存在し膜厚が1nm以上8nm以下である上側薄層障壁層半導体層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 27/095 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L29/80 Q , H01L29/80 H , H01L29/80 E , H01L29/78 301B

F-Term (26)：

5F102FA01 , 5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GL08 , 5F102GL16 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GM10 , 5F102GQ02 , 5F102GQ03 , 5F102HC01 , 5F140AA24 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB18 , 5F140BD01 , 5F140BD11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (13)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-056529 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-248484 Applicant：株式会社東芝
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-225077 Applicant：ソニー株式会社

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Cited by examiner (8)

半導体装置
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