Pat
J-GLOBAL ID:200903028110227504
炭素膜被覆部材
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
波多野 久 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002235166
Publication number (International publication number):2003231203
Application date: Aug. 12, 2002
Publication date: Aug. 19, 2003
Summary:
【要約】【課題】低摩耗性,耐摩耗性,耐食性に優れ、過酷な条件下で使用された場合においても剥離や発塵や劣化が少なく半導体製品に対して悪影響を及ぼすことが少なく、しかも耐久性に優れた炭素膜被覆部材を提供する。【解決手段】アモルファス炭素4から成るマトリックス中に金属および/または金属炭化物5を含有した被膜6を基材2表面の少なくとも一部に形成した炭素膜被覆部材1において、上記被膜を構成する金属(M)の炭素(C)に対する原子比(M/C)が0.01〜0.7の範囲であることを特徴とする炭素膜被覆部材1である。
Claim (excerpt):
アモルファス炭素から成るマトリックス中に金属および/または金属炭化物を含有した被膜を基材表面の少なくとも一部に形成した炭素膜被覆部材において、上記被膜を構成する金属(M)の炭素(C)に対する原子比(M/C)が0.01〜0.7の範囲であることを特徴とする炭素膜被覆部材。
IPC (3):
B32B 9/00
, H01L 21/02
, H01L 21/68
FI (4):
B32B 9/00 A
, H01L 21/02 B
, H01L 21/68 N
, H01L 21/68 V
F-Term (56):
4F100AA12C
, 4F100AA12D
, 4F100AA15B
, 4F100AA15C
, 4F100AA15D
, 4F100AA16B
, 4F100AA37B
, 4F100AB01B
, 4F100AB01C
, 4F100AB01D
, 4F100AB04
, 4F100AB11A
, 4F100AB11B
, 4F100AB12B
, 4F100AB13B
, 4F100AB20B
, 4F100AD00A
, 4F100AD04C
, 4F100AD04D
, 4F100AD07B
, 4F100AD07C
, 4F100AD07D
, 4F100AD08B
, 4F100AD10C
, 4F100AD10D
, 4F100AD11B
, 4F100AG00A
, 4F100AT00A
, 4F100BA02
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10B
, 4F100BA13
, 4F100EH46B
, 4F100EH66B
, 4F100EJ15B
, 4F100EJ53B
, 4F100EJ61B
, 4F100GB41
, 4F100JA12B
, 4F100JA20B
, 4F100JB02
, 4F100JK06
, 4F100JK09
, 4F100JL00
, 4F100JM02B
, 4F100YY00B
, 5F031CA02
, 5F031CA05
, 5F031CA11
, 5F031DA01
, 5F031EA01
, 5F031PA26
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
硬質炭素膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-142101
Applicant:住友電気工業株式会社
-
物品保持装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-043868
Applicant:京セラ株式会社
-
ダイヤモンド状炭素膜を被覆した部材
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-375446
Applicant:ティーディーケイ株式会社
-
ピストンリング
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-213527
Applicant:帝国ピストンリング株式会社
-
電気用部材
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-227570
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
被膜作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-372446
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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