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J-GLOBAL ID：200903028356252842

炭素構造体の製造装置及び製造方法

Inventor：
中井 宏

About 中井 宏

, 
橘 勝

About 橘 勝


Applicant, Patent owner：
株式会社IHI

About 株式会社IHI

, 
公立大学法人横浜市立大学

About 公立大学法人横浜市立大学


Agent (2)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006238305
Publication number (International publication number)：2008056546
Application date： Sep. 01, 2006
Publication date： Mar. 13, 2008
Summary：
【課題】基板上に炭素構造体を形成する際に、電極等の汚染と異物等の発生を抑制し、炭素構造体を大面積に良好に形成できる製造装置を提供する。【解決手段】製造装置は、基板を収容する第1空間を形成する第1室と、第1空間に炭素構造体を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給装置と、第1空間とは別の第2空間を形成する第2室と、前記第2空間にプラズマを生成するためのガスを供給するガス供給装置と、第2空間においてプラズマを生成するプラズマ生成装置と、第1空間と第2空間とを接続する開口と、第2空間で生成されたプラズマを開口を介して第1空間に導入するプラズマ導入装置とを備え、第1空間に導入されたプラズマによって、原料ガスを用いて基板上に炭素構造体を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に炭素構造体を形成する炭素構造体の製造装置であって、 前記基板を収容する第1空間を形成する第1室と、 前記第1空間に前記炭素構造体を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給装置と、 前記第1空間とは別の第2空間を形成する第2室と、 前記第2空間にプラズマを生成するためのガスを供給するガス供給装置と、 前記第2空間においてプラズマを生成するプラズマ生成装置と、 前記第1空間と前記第2空間とを接続する開口と、 前記第2空間で生成された前記プラズマを前記開口を介して前記第1空間に導入するプラズマ導入装置と、を備え、 前記第1空間に導入された前記プラズマによって、前記原料ガスを用いて前記基板上に前記炭素構造体を形成する製造装置。
IPC (4)：
C01B 31/02 ,  B01J 35/02 ,  B01J 37/02 ,  C23C 16/503
FI (4)：
C01B31/02 101F ,  B01J35/02 H ,  B01J37/02 301P ,  C23C16/503
F-Term (42)：
4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA23 ,  4G146DA26 ,  4G146DA29 ,  4G146DA30 ,  4G146DA33 ,  4G146DA40 ,  4G146DA47 ,  4G169AA03 ,  4G169BC66B ,  4G169BC68B ,  4G169BC75B ,  4G169CB81 ,  4G169CC32 ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169FA03 ,  4G169FB02 ,  4G169FB58 ,  4G169FB77 ,  4G169FB78 ,  4G169FB79 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (9)
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