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J-GLOBAL ID：200903028730737049

高周波グロー放電を利用した表面処理方法

Inventor：
佐々木 敏明

About 佐々木 敏明


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999069684
Publication number (International publication number)：2000268994
Application date： Mar. 16, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高周波グロー放電を利用した表面処理方法において、定在波の発生を抑止し、放電の安定性,表面処理の均一性および表面処理速度の向上を図る。【解決手段】 反応室3内に高周波電極1と基板電極2とを備えた装置に、高周波電源4から高周波電力を導入し、高周波電極1に印加された高周波電圧により励起されるグロー放電によりプラズマ10を発生して、基板の表面処理を行う高周波グロー放電を利用した表面処理方法において、前記高周波電極の分割された各導体部101の前記プラズマ生成空間に対向した表面の最大寸法が、真空中の光速Cの四分の一を高周波印加電圧の周波数fで除した値C/4fより小となるようにして表面処理する。
Claim (excerpt)：
ガス導入手段と真空排気手段とを有する真空気密可能な反応室内に、高周波電極と,基板を配設するための基板電極とを備えた装置に、高周波電源から高周波電力を導入し、前記高周波電極に印加された高周波電圧により励起されるグロー放電によりプラズマを発生して、前記基板の表面処理を行う高周波グロー放電を利用した表面処理方法において、前記高周波電極の前記プラズマ生成空間に対向した表面の最大寸法が、真空中の光速Cの四分の一を高周波印加電圧の周波数fで除した値C/4fより小となるようにして処理することを特徴とする高周波グロー放電を利用した表面処理方法。
IPC (6)：
H05H 1/24 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (7)：
H05H 1/24 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 B ,  C23C 16/50 G ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
F-Term (51)：
4K029AA01 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA43 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC29 ,  4K029DC35 ,  4K029FA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030BB04 ,  4K030BB05 ,  4K030CA01 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030KA18 ,  4K030LA16 ,  5F004AA03 ,  5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004CA09 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045EH04 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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