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J-GLOBAL ID：200903028948412923 多孔質体およびその製造方法
御山 稔人
, About 御山 稔人
杉本 俊哉
About 杉本 俊哉
Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社
About 積水化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003430722
Publication number (International publication number)：2005190828
Application date： Dec. 25, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：
【課題】 耐熱性、柔軟性、寸法安定性が高く、内部に連続細孔構造を有する多孔質体を提供する。【解決手段】 そこで本発明の多孔質体は、金属-酸素結合による架橋構造体と、これに共有結合した炭素原子とを含み、表面での空孔の開口率を調整し、表面で空孔が閉じた状態あるいは開口した状態を持つと共に、空孔が連続的につながった連続細孔構造を有することを特徴とする。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
金属-酸素結合による架橋構造を有し、当該架橋構造によって形成された空孔が連続的につながった連続細孔構造を有し、
少なくとも前記空孔が前記多孔体の一主面側で開口していることを特徴とする多孔質体。
IPC (3)： FI (4)：
F-Term (10)：
5F033QQ00
, 5F033QQ74
, 5F033RR29
, 5F033SS22
, 5F033XX24
, 5H026AA06
, 5H026BB10
, 5H026CX04
, 5H026EE18
, 5H026HH04
Patent cited by the Patent： Cited by applicant (2)
- 無機系多孔質カラム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-200392 Applicant：曽我直弘, 中西和樹 - 無機系多孔質プレート
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-387053 Applicant：日本板硝子株式会社
- シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-084475 Applicant：富士通株式会社 - 発泡型多孔質セラミックス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-026219 Applicant：株式会社リケン - アルミナ多孔質体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-326030 Applicant：京セラ株式会社
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