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J-GLOBAL ID：200903029342829388

半導体素子を形成する半導体素子及び方法

Inventor：
ジョン イー ノースラップ

About ジョン イー ノースラップ

, 
クリスチャン ジー ヴァン デ ウォーレ

About クリスチャン ジー ヴァン デ ウォーレ


Applicant, Patent owner：
ゼロックス・コーポレーション

About ゼロックス・コーポレーション


Agent (1)： 中村 稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002128026
Publication number (International publication number)：2002359397
Application date： Apr. 30, 2002
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体物質のドーピングレベルを上げる。【解決手段】 p型ドーパントでドープされた少なくとも一つのIII-V族領域を含む半導体物質であって、p型ドーパントは第1のp型ドーパント及び少なくとも一つの第2のp型ドーパント及び不純物を含み、第1のp型ドーパントは、第1のp型ドーパントによってもたらされる、少なくとも一つのIII-V族領域での局所的応力が、少なくとも一つの第2のp型ドーパント及び不純物によってもたらされる、少なくとも一つのIII-V族領域での局所的応力によって補償されるように、そして、少なくとも一つのIII-V族領域での、第1のp型ドーパントの密度が高められるように、各第2のp型ドーパント及び不純物の原子半径とサイズが異なった原子半径を持つ、半導体物質。
Claim (excerpt)：
p型ドーパントでドープされた少なくとも一つのIII-V族領域を含む半導体物質であって、上記p型ドーパントは第1のp型ドーパント及び少なくとも一つの第2のp型ドーパント及び不純物を含み、上記第1のp型ドーパントは、上記第1のp型ドーパントによってもたらされる、上記少なくとも一つのIII-V族領域での局所的応力が、上記少なくとも一つの上記第2のp型ドーパント及び上記不純物によってもたらされる、上記少なくとも一つのIII-V族領域での局所的応力によって補償されるように、そして、上記少なくとも一つのIII-V族領域での、上記第1のp型ドーパントの密度が高められるように、各上記第2のp型ドーパント及び上記不純物の原子半径とサイズが異なった原子半径を持つ、半導体物質。
F-Term (6)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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