Pat
J-GLOBAL ID:200903029523132222
表示装置、表示装置を用いたカメラ、ビデオムービー、携帯型の装置、パーソナルコンピュータ、カーナビゲーションシステム及び投影型の液晶表示装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004169405
Publication number (International publication number):2004266295
Application date: Jun. 08, 2004
Publication date: Sep. 24, 2004
Summary:
【課題】 薄膜トランジスタ(TFT)の回路において、高耐圧のTFTと高速動作が可能なTFTを有する半導体集積回路およびそのような回路を作製するための方法を提供する。【解決手段】 高速動作の必要なTFT(例えば論理回路に用いられるTFT)と高耐圧の必要なTFT(例えば高電圧信号のスイッチングに用いられるTFT)のゲイト絶縁膜とチャネル長を調節する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上のチャネル領域を有する半導体層と、
前記半導体層上に形成された酸化珪素を含む第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成された窒化珪素を含む第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを挟んで前記チャネル領域上に形成されたゲイト電極と、
前記半導体層、前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜、及び前記ゲイト電極上に形成された窒化珪素を含む第3の絶縁膜とを有し、
前記第2の絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜の端よりも延びており、
前記第3の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜の前記ゲイト電極の端よりも延びている領域の上面及び前記第1の絶縁膜の前記第2の絶縁膜の端よりも延びている領域の上面と接することを特徴とするカメラ。
IPC (2):
FI (3):
H01L29/78 612B
, G02F1/1368
, H01L29/78 617U
F-Term (60):
2H092HA04
, 2H092JA25
, 2H092JA35
, 2H092JB24
, 2H092JB33
, 2H092JB57
, 2H092KA04
, 2H092KA12
, 2H092KA18
, 2H092KB13
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA27
, 2H092MA28
, 2H092MA30
, 2H092NA21
, 2H092PA01
, 2H092PA06
, 2H092RA10
, 5F110AA01
, 5F110AA09
, 5F110AA12
, 5F110BB02
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD13
, 5F110EE03
, 5F110EE09
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF12
, 5F110FF23
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG24
, 5F110GG28
, 5F110GG45
, 5F110HJ01
, 5F110HJ12
, 5F110HJ23
, 5F110HL01
, 5F110HL03
, 5F110HL11
, 5F110HM15
, 5F110NN04
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110NN72
, 5F110NN78
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP29
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
-
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-200602
Applicant:シャープ株式会社
-
半導体集積回路およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-157651
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-265503
Applicant:ソニー株式会社
-
特開平4-260336
-
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-019809
Applicant:富士ゼロックス株式会社
-
MOSトランジスタ作製方法およびその構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-356299
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
特開平4-196328
-
電子スチルカメラ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-014989
Applicant:株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
-
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-169388
Applicant:松下電子工業株式会社
-
特開平4-196328
-
液晶表示パネル及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-218583
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
薄膜半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-166673
Applicant:カシオ計算機株式会社
-
液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-306223
Applicant:株式会社東芝
Show all
Return to Previous Page