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J-GLOBAL ID：200903030547499001

プラズマ発生装置、プラズマ処理装置およびこれを用いたプラズマ発生方法

Inventor：
勢造 一志

About 勢造 一志


Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社

About 積水化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003063612
Publication number (International publication number)：2004273312
Application date： Mar. 10, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：
【課題】大気圧近傍の圧力下で、連続波によって安定したグロー放電プラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理方法および装置を提供する。【解決手段】所定の間隔を隔てて対向する一対の電極1間に電界を印加することにより、大気圧近傍の圧力下でグロー放電によるプラズマを発生させるプラズマ発生装置において、前記電界は、昇圧手段を備えた共振回路から供給されるように構成され、前記共振回路は、共振可能な所定の周波数帯域幅を得るとともに放電開始電圧を超えるように、共振のQ値と、前記Q値に応じた前記昇圧手段3の昇圧比とを設定してなることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
所定の間隔を隔てて対向する一対の電極間に電界を印加することにより、大気圧近傍の圧力下でグロー放電によるプラズマを発生させるプラズマ発生装置において、 前記電界は、昇圧手段を備えた共振回路から供給されるように構成され、 前記共振回路は、共振可能な所定の周波数帯域幅を得るとともに放電開始電圧を超えるように、共振のQ値と、前記Q値に応じた前記昇圧手段の昇圧比とを設定してなることを特徴とするプラズマ発生装置。
IPC (6)：
H05H1/24 ,  B01J19/08 ,  C23C16/505 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46
FI (6)：
H05H1/24 ,  B01J19/08 E ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 C ,  H05H1/46 R ,  H01L21/302 101E
F-Term (31)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075BC06 ,  4G075BC10 ,  4G075CA14 ,  4G075CA16 ,  4G075DA01 ,  4G075EB41 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030KA30 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB24 ,  5F004BB29 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB26 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045EH01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
  • 放電プラズマ発生用交流高圧電源装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-054315   Applicant：日立プラント建設株式会社
  • 大気圧グロ-放電プラズマ処理法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-233026   Applicant：イーシー化学株式会社
  • ダイヤモンド膜の堆積方法と装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-145285   Applicant：サン-ゴバンインダストリアルセラミックス,インコーポレイティド
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