被膜の処理方法およびこの方法を用いた半導体素子の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小山有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001133785
Publication number (International publication number)：2002329782
Application date： May. 01, 2001
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】レジストパターンをウェット剥離する際にシリカ被膜(層間絶縁膜)が損傷を受けにくくなる被膜の処理方法を提供する。【解決手段】基板上に形成された低誘電率のシリカ系被膜をレジストパターンを介してエッチング処理した後、ヘリウムガスから誘導されるプラズマにより、前記エッチング処理後のシリカ系被膜を処理する。これにより、後工程のレジストパターンのウェット剥離処理の際に、シリカ系被膜が損傷することがなく、低い誘電率を維持することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に誘電率2.7以下のシリカ系被膜を形成し、このシリカ系被膜をホトレジストパターンを介してエッチング処理した後、ヘリウムガスから誘導されるプラズマにより前記エッチング処理後のシリカ系被膜を処理し、この後前記ホトレジストパターンをウェット剥離処理することを特徴とする被膜の処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/316 G , H01L 21/90 P , H01L 21/90 V , H01L 21/302 H

F-Term (39)：

5F004AA08 , 5F004DA22 , 5F004DB03 , 5F004EA10 , 5F004EB01 , 5F004FA08 , 5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ13 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM10 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033RR09 , 5F033RR25 , 5F033SS21 , 5F033SS22 , 5F033WW09 , 5F033XX04 , 5F033XX18 , 5F033XX24 , 5F058BB05 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC07 , 5F058BF41 , 5F058BF46 , 5F058BF47 , 5F058BH01 , 5F058BH11 , 5F058BH16 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ビアホール内の配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-119061 Applicant：川崎製鉄株式会社
多孔性シリカ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-300720 Applicant：旭化成株式会社
多層配線の接続構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-101066 Applicant：三菱電機株式会社

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