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J-GLOBAL ID:200903032731738500

光抽出を向上させた微小発光ダイオードアレイ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 谷 義一 ,  阿部 和夫 ,  橋本 傳一
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001542391
Publication number (International publication number):2004505434
Application date: Nov. 20, 2000
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
本発明は光抽出効率の増加をもたらす新しいLED構造を説明している。この新しいLED構造は、逆極性にドープされた2つの層(16、18)の間に挟まれた活性層(14)を有する、電気的に相互に接続された微小LED(12)のアレイを備えている。この微小LEDは、微小LEDの底層(16)が第1のスプレッダ層(20)と接触する状態で、この第1のスプレッダ層(20)上に形成されている。第2のスプレッダ層(24)が微小LED(12)の上にこの微小LEDの最上層(16)と接触して形成されている。第1のスプレッダ層(20)は第2のスプレッダ層(24)と電気的に絶縁されている。スプレッダ層(20、24)はそれぞれコンタクト(22、26)を有し、このコンタクト(22、26)の間にバイアスが印加されると電流が微小LED(12)に広がって微小LEDが発光する。この新しいLEDは、微小LED(12)の発光面を増加させることによって効率が増加する。それぞれの微小LEDの活性層(14)から放出される光は短い距離を伝搬しただけで表面に達し、この光の内部全反射を低減させる。光抽出をさらに向上させるために各微小LED(12)の間に光抽出素子(LEE)(82、84、86、88、90、92、94)を備えることができる。この新しいLEDは標準の加工方法で作成され、これによって標準のLEDと同様な費用で生産性が高くなる。
Claim (excerpt):
光抽出を向上させた発光ダイオード(LED)であって、 導電性の第1のスプレッダ層(20)と、 前記第1のスプレッダ層(20)の表面上に分離して配置され、それぞれが p型層(16)、 n型層(18)、 前記p型層とn型層(16、18)との間に挟まれた活性層(14)を含み、前記p型層またはn型層の何れか一方が最上層で他の前記層が底層であり、前記第1のスプレッダ層(20)からの電流が前記底層内に広がるようにした、複数の微小発光ダイオード(微小LED)(12)と、 前記微小LED(12)の上の第2のスプレッダ層(24)とを備え、前記第2のスプレッダ層(24)からの電流が前記最上層中に広がり、前記第1および前記第2のスプレッダ層(20、24)の間に印加されたバイアスによって前記微小LED(12)が発光するようにしたことを特徴とする発光ダイオード(LED)。
IPC (1):
H01L33/00
FI (2):
H01L33/00 A ,  H01L33/00 E
F-Term (11):
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA81 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15 ,  5F041CB22 ,  5F041CB25
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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