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J-GLOBAL ID:200903032731738500
光抽出を向上させた微小発光ダイオードアレイ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
谷 義一
, 阿部 和夫
, 橋本 傳一
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001542391
Publication number (International publication number):2004505434
Application date: Nov. 20, 2000
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
本発明は光抽出効率の増加をもたらす新しいLED構造を説明している。この新しいLED構造は、逆極性にドープされた2つの層(16、18)の間に挟まれた活性層(14)を有する、電気的に相互に接続された微小LED(12)のアレイを備えている。この微小LEDは、微小LEDの底層(16)が第1のスプレッダ層(20)と接触する状態で、この第1のスプレッダ層(20)上に形成されている。第2のスプレッダ層(24)が微小LED(12)の上にこの微小LEDの最上層(16)と接触して形成されている。第1のスプレッダ層(20)は第2のスプレッダ層(24)と電気的に絶縁されている。スプレッダ層(20、24)はそれぞれコンタクト(22、26)を有し、このコンタクト(22、26)の間にバイアスが印加されると電流が微小LED(12)に広がって微小LEDが発光する。この新しいLEDは、微小LED(12)の発光面を増加させることによって効率が増加する。それぞれの微小LEDの活性層(14)から放出される光は短い距離を伝搬しただけで表面に達し、この光の内部全反射を低減させる。光抽出をさらに向上させるために各微小LED(12)の間に光抽出素子(LEE)(82、84、86、88、90、92、94)を備えることができる。この新しいLEDは標準の加工方法で作成され、これによって標準のLEDと同様な費用で生産性が高くなる。
Claim (excerpt):
光抽出を向上させた発光ダイオード(LED)であって、
導電性の第1のスプレッダ層(20)と、
前記第1のスプレッダ層(20)の表面上に分離して配置され、それぞれが
p型層(16)、
n型層(18)、
前記p型層とn型層(16、18)との間に挟まれた活性層(14)を含み、前記p型層またはn型層の何れか一方が最上層で他の前記層が底層であり、前記第1のスプレッダ層(20)からの電流が前記底層内に広がるようにした、複数の微小発光ダイオード(微小LED)(12)と、
前記微小LED(12)の上の第2のスプレッダ層(24)とを備え、前記第2のスプレッダ層(24)からの電流が前記最上層中に広がり、前記第1および前記第2のスプレッダ層(20、24)の間に印加されたバイアスによって前記微小LED(12)が発光するようにしたことを特徴とする発光ダイオード(LED)。
IPC (1):
FI (2):
H01L33/00 A
, H01L33/00 E
F-Term (11):
5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA81
, 5F041CA99
, 5F041CB15
, 5F041CB22
, 5F041CB25
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-159242
Applicant:シャープ株式会社
-
LEDプリントヘッド、およびLEDアレイチップ、ならびにそのLEDアレイチップの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-199345
Applicant:ローム株式会社
-
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-079046
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
LEDランプ並びにLEDチップ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-328744
Applicant:ユニスプレイ・エス・アー
-
半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-021388
Applicant:ローム株式会社
-
窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-036618
Applicant:豊田合成株式会社
-
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-006053
Applicant:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
-
特開昭50-105286
-
半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-052684
Applicant:シャープ株式会社
-
特開昭49-005585
-
発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-192135
Applicant:松下電子工業株式会社
-
オプトエレクトロニクス半導体チップおよびその製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-518539
Applicant:オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
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