Pat
J-GLOBAL ID：200903033761144333

レジストパターンの形成方法

Inventor：
▲高▼橋 真

About ▲高▼橋 真

, 
武智 敏

About 武智 敏


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995023053
Publication number (International publication number)：1996220774
Application date： Feb. 10, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：
【要約】【目的】 レジストパターンの形成方法に関し、クラックの発生やパターンの剥離を低減可能な方法を提供することを目的とする。【構成】 保護されたアルカリ可溶性基を有しかつその保護基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる繰り返し単位を含む重合体又は共重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジストを被処理基板上に塗布し、プリベークし、放射線に選択露光した後、特定のアンモニウム化合物又はモルフォリン化合物の水溶液又はアルコール溶液を含む現像液で現像するように、構成する。
Claim (excerpt)：
保護されたアルカリ可溶性基を有しかつその保護基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる繰り返し単位を含む重合体又は共重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジストを被処理基板上に塗布し、形成されたレジスト膜のプリベーク後、前記被処理基板上のレジスト膜を前記酸発生剤からの酸の発生を惹起し得る放射線に選択的に露光し、そして露光後のレジストのポストベーク後、前記露光工程において形成された潜像を次式(I)により表されるアンモニウム化合物:【化1】(上式において、R1 ,R2 ,R3 及びR4 は、それぞれ、同一もしくは異なっていてもよく、1〜6個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の炭化水素基を表し、但し、これらの基の少なくとも1個は2〜6個の炭素原子を有するアルキル基である)又は次式(II)により表されるモルフォリン化合物:【化2】の水溶液又はアルコール溶液を含む現像液で現像すること、を含んでなることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027
FI (5)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM