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J-GLOBAL ID：200903034164527155

配線基板とその製造方法及び半導体装置

Inventor：
斎藤 俊郎

About 斎藤 俊郎

, 
赤星 晴夫

About 赤星 晴夫

, 
板橋 武之

About 板橋 武之


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999092415
Publication number (International publication number)：2000286559
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：
【要約】【課題】本発明の目的は、特に、耐熱性,寸法安定性に優れた絶縁性樹脂基板上に、銅を導体とする配線を密着性の良い無電解めっきによって形成することにより、密着性の高い微細な銅配線を形成する上で極めて有効なフルアディティブ法による配線板製造が可能となり、高密度に実装した配線基板とその製造方法及び用途を提供できる。【解決手段】本発明は、絶縁樹脂基板として特に耐アルカリ性の高い樹脂を用い、その表面にアミド基を含む層と、銅の還元電位よりも還元電位が卑である金属酸化物層と、銅層とからなる配線基板とその製造方法にある。
Claim (excerpt)：
絶縁樹脂基板上に該樹脂基板の表面に形成された変質層を介してライン幅が10〜40μm及び厚さが15〜45μmであるめっき膜からなる配線層が形成され、少なくとも該配線層が形成されている部分の前記基板の中心線平均粗さが1.0μm 以下であることを特徴とする配線基板。
IPC (3)：
H05K 3/46 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/38
FI (4)：
H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/18 A ,  H05K 3/38 A
F-Term (21)：
5E343AA12 ,  5E343AA38 ,  5E343BB24 ,  5E343BB34 ,  5E343BB44 ,  5E343BB45 ,  5E343BB52 ,  5E343BB59 ,  5E343DD33 ,  5E343EE46 ,  5E343GG01 ,  5E346BB15 ,  5E346CC08 ,  5E346CC10 ,  5E346CC32 ,  5E346CC33 ,  5E346CC37 ,  5E346CC40 ,  5E346DD23 ,  5E346DD33 ,  5E346HH31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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