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J-GLOBAL ID：200903034184532848

半導体装置の製造方法

Inventor： 山成 真市 ,  丸山 隆弘
Applicant, Patent owner： 株式会社ルネサステクノロジ
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005220858
Publication number (International publication number)：2007036116
Application date： Jul. 29, 2005
Publication date： Feb. 08, 2007
Summary：

【課題】工程数を増加させずにメタルゲート構造の加工性を向上した、45nm世代以降のSoCデバイスの製造に対応可能な半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】半導体基板上に高誘電率材料層を形成する高誘電率材料層形成工程と、前記高誘電率材料層上に該高誘電率材料層に接するとともに金属、金属合金、またはこれらの化合物からなる金属層を形成した後、該金属層をパターニングすることにより金属ゲート電極層を形成するゲート電極層形成工程と、前記金属ゲート電極層の側壁部にウエットエッチング耐性を有する保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記高誘電率材料層をウエットエッチングによりパターニングして高誘電率ゲート絶縁膜を形成する高誘電率ゲート絶縁膜形成工程と、を含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に高誘電率材料層を形成する高誘電率材料層形成工程と、 前記高誘電率材料層上に該高誘電率材料層に接するとともに金属、金属合金、またはこれらの化合物からなる金属層を形成した後、該金属層をパターニングすることにより金属ゲート電極層を形成するゲート電極層形成工程と、 前記金属ゲート電極層の側壁部にウエットエッチング耐性を有する保護膜を形成する保護膜形成工程と、 前記高誘電率材料層をウエットエッチングによりパターニングして高誘電率ゲート絶縁膜を形成する高誘電率ゲート絶縁膜形成工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28

FI (4)：

H01L29/78 301G ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R

F-Term (51)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104DD86 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA24 ,  5F048DA27 ,  5F140AA39 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD13 ,  5F140BE10 ,  5F140BE14 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF10 ,  5F140BF17 ,  5F140BF21 ,  5F140BF24 ,  5F140BF40 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG14 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BG48 ,  5F140CB08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-083000   Applicant：三洋電機株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 米国特許出願公開第2004/23478号明細書
  

Cited by examiner (8)

• エッチング方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-307227   Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ, 三菱瓦斯化学株式会社
• High-k物質を選択的に除去する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-221896   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-354249   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
• チタン含有層用エッチング液及びチタン含有層のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-415205   Applicant：三菱化学株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-154066   Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-018745   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-161763   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 特開昭56-112758