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J-GLOBAL ID:200903034453982537
感放射線性樹脂組成物
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
福沢 俊明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997201014
Publication number (International publication number):1999030865
Application date: Jul. 11, 1997
Publication date: Feb. 02, 1999
Summary:
【要約】【課題】 各種のレジスト用溶剤を使用でき、特に高感度で、かつ解像度、パターン形状、スカム等にも優れた化学増幅型ポジ型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。【解決手段】 感放射線性樹脂組成物は、(A)p-ヒドロキシスチレン/p-エトキシエトキシスチレン/スチレン共重合体で代表される共重合体、および(B)トリ(p-メトキシフェニル)スルフォニウムトリフルオロメタンスルフォネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルフォネート、1,1-ビス(フェニルフルフォニル)シクロヘキサンあるいは【化1】で代表される感放射線性酸発生剤を含有する。
Claim (excerpt):
(A)下記式(1)で表される共重合体と、(B)下記式(2)、式(3)、式(4)または式(5)で表される感放射線性酸発生剤の少なくとも1種とを含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。【化1】〔式(1)において、R1 、R2 およびR3 は相互に独立に水素原子またはメチル基を示し、R4 は炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基を示し、R5 は炭素数1〜10のアルキル基もしくは炭素数6〜10のアリール基を示すか、またはR4 とR5 とが結合して5〜7員環の環状構造を形成しており、Yは炭素数6〜20のアリール基または-C(=O)OZ基(但し、Zは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基または炭素数7〜10のアラルキル基を示す。)を示し、a、bおよびcは各繰返し単位の存在比率を示し、a>0、b>0、c>0で、a+b+c=1である。〕【化2】〔式(2)において、R6 は炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基を示し、3個のR6 は相互に同一でも異なってもよく、R7 は炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数7〜10のアラルキル基または炭素数4〜12の脂環式骨格を有する基を示す。)【化3】〔式(3)において、R7 は炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数7〜10のアラルキル基または炭素数4〜12の脂環式骨格を有する基を示し、R8 およびR9 は相互に独立に水酸基または炭素数1〜6のアルコキシル基を示し、R10およびR11は相互に独立に水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を示し、dは0〜4の整数、eは0〜3の整数、fは4〜7の整数であり、複数存在するR8 、R9、R10あるいはR11はそれぞれ相互に同一でも異なってもよい。〕【化4】〔式(4)において、R12およびR13は相互に独立に炭素数1〜10の1価の非環式炭化水素基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基またはヘテロ原子を有する炭素数1〜10の1価の他の有機基を示し、X1 およびX2 は相互に独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基または炭素数7〜10のアラルキル基を示し、gは2〜10の整数であり、複数存在するX1およびX2 はそれぞれ相互に同一でも異なってもよい。〕【化5】〔式(5)において、R7 は炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数7〜10のアラルキル基または炭素数4〜12の脂環式骨格を有する基を示し、R14およびR15は相互に独立に炭素数1〜6のアルキル基を示す。〕
IPC (3):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503 A
, H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-049097
Applicant:和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
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ポジ型感光性組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-261635
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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微細パターン形成材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-246324
Applicant:和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
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特開平4-211258
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化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-186167
Applicant:信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
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化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-152655
Applicant:信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
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高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-017972
Applicant:信越化学工業株式会社
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スルホニウム塩及びそれを含有する化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-136594
Applicant:信越化学工業株式会社
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ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-288497
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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Cited by examiner (10)
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微細パターン形成材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-246324
Applicant:和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
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特開平4-211258
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特開平4-211258
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化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-186167
Applicant:信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
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化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-152655
Applicant:信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
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レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-049097
Applicant:和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
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高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-017972
Applicant:信越化学工業株式会社
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スルホニウム塩及びそれを含有する化学増幅ポジ型レジスト材料
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Application number:特願平9-136594
Applicant:信越化学工業株式会社
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ポジ型感光性組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-261635
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-288497
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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