炭素ナノ構造体、その製造方法、その切断方法、それを有する探針および電界電子放出源

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 西山雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004051727
Publication number (International publication number)：2005238388
Application date： Feb. 26, 2004
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：

【課題】優れた耐久性を備え、高い測定精度を可能とし、短時間・低コストでばらつき無く作製できるCNT、CNF、GNFという炭素ナノ構造体、その製造方法、その切断方法、それを有するSTMやAFM用の探針あるいはFED、X線装置、SEM、TEM等の電界電子放出源を提供する。【解決手段】基体上に成長した炭素構造体の頂点付近の炭素原子と化学結合して該頂点上に成長したカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバーまたはグラファイトナノファイバーから成る炭素ナノ構造体。炭素ナノ構造体は、炭素材料にイオンビーム、レーザビーム、電子ビーム等の高エネルギービームを照射することにより製造される。炭素ナノ構造体の切断は、基体上の炭素構造体および炭素ナノ構造体を樹脂中に埋め込み、樹脂および埋め込まれた炭素ナノ構造体を一緒に炭素ナノ構造体側から所定位置まで研磨した後、残留している樹脂を除去することにより行なう。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基体上に成長した炭素構造体の頂点付近の炭素原子と化学結合して該頂点上に成長したカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバーまたはグラファイトナノファイバーから成る炭素ナノ構造体。

IPC (4)：

B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/02 , D01F9/127

FI (4)：

B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/02 101F , D01F9/127

F-Term (19)：

4G146AA11 , 4G146AB10 , 4G146AC06A , 4G146AC06B , 4G146AD29 , 4G146AD40 , 4G146BA01 , 4G146BC15 , 4G146BC32A , 4G146BC32B , 4L037CS03 , 4L037FA02 , 4L037FA20 , 4L037PA03 , 4L037PA05 , 4L037PA17 , 4L037PA21 , 4L037PA24 , 4L037UA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

電子装置の表面信号操作用プローブ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-116939 Applicant：中山喜萬, 大研化学工業株式会社

Cited by examiner (10)

電界電子放出装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-058862 Applicant：株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 財団法人ファインセラミックスセンター
カーボンナノチューブの成長方法並びにそれを用いた電子銃及びプローブの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-075981 Applicant：株式会社ケイアンドティ
電子放出素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-098016 Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター

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