減少した転位パイルアップを有する半導体ヘテロ構造および関連した方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004529920
Publication number (International publication number)：2005536876
Application date： Aug. 22, 2003
Publication date： Dec. 02, 2005
Summary：

組成的に勾配した半導体層における転位パイルアップは、減少もしくは実質的に除かれ、これによって、増加した半導体デバイス歩合および製造性に導く。このことは、組成的に勾配したバッファ層の後に続く成長および緩和の前のスタート層としておよび/または組成的に勾配した層の成長および緩和中の少なくとも1つの中間層としてその表面にわたり実質的に均一に分布する複数のスレッディング転位を有する半導体層を導入することによって達成される。この半導体層は、半導体層の表面に近接して位置するシード層、およびそこに均一的に分布するレッディング転位を有することを含み得る。

Claim (excerpt)：

第1の半導体層の表面にわたり実質的に均一に分布する複数のスレッディング転位を有する第1の半導体層と、該第1の該表面の上に位置する組成的に均一なキャップ層であって、実質的に緩和した組成的に均一なキャップ層とを含む、半導体構造。

IPC (1)：

H01L21/20

FI (1)：

H01L21/20

F-Term (18)：

5F152LL03 , 5F152LL09 , 5F152LN08 , 5F152LN13 , 5F152LN14 , 5F152LN28 , 5F152MM04 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NN15 , 5F152NP04 , 5F152NQ02 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06 , 5F152NQ08 , 5F152NQ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許第5,442,205号明細書
米国特許第6,107,653号明細書

Cited by examiner (6)

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにSiGe層の形成方法及びこれを用いた歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-165695 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
疑似基板構造体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-246426 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-141558 Applicant：株式会社日立製作所

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