Pat

J-GLOBAL ID：200903091909944032

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 市川 洋 ,  久保 実 ,  浅井 明 ,  川島 孝啓
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001393824
Publication number (International publication number)：2002270834
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタを備えた,性能の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 電界効果トランジスタにおいて、Si基板10の上に、Si層11と、SiC(Si1-y Cy )チャネル層12と、窒化炭素層(CN)からなるCNゲート絶縁膜13と、ゲート電極14とが順次積層されて設けられている。SiCチャネル層12の厚さは、炭素含有量に応じて歪による転位が発生しないよう臨界膜厚以下の値にされている。SiCチャネル層12の両側には、ソース領域15とドレイン領域16とが形成されており、ソース領域15,ドレイン領域16の上には、それぞれソース電極17とドレイン電極18とが設けられている。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの電界効果トランジスタを設けてなる半導体装置であって、上記電界効果トランジスタは、第1の半導体層と、上記第1の半導体層の上に設けられ、最上部が窒素含有層からなり、主部がSi<SB>1-x-y</SB>Ge<SB>x</SB>C<SB>y</SB> (0≦x<1,0≦y<1,x+y>0)で表される組成を有する第2の半導体層からなる第1の活性層と、上記第1の活性層の上に設けられたゲート電極とを備えている半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/161

FI (6)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/163 ,  H01L 27/08 321 D

F-Term (63)：

5F045AA02 ,  5F045AA05 ,  5F045AB06 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045DA52 ,  5F048AC03 ,  5F048BA03 ,  5F048BA05 ,  5F048BA14 ,  5F048BA19 ,  5F048BB04 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BE03 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F058BC07 ,  5F058BF02 ,  5F058BF09 ,  5F058BF20 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA05 ,  5F140BB13 ,  5F140BB18 ,  5F140BC11 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG38 ,  5F140BG58 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-333601   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-247664
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-248298   Applicant：松下電器産業株式会社
• 歪シリコン電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-238755   Applicant：株式会社東芝
• 絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-267636   Applicant：沖電気工業株式会社
• ひずみSi/SiGeヘテロ構造層を使用するCMOSトランジスタ論理回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-097158   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 電界効果デバイス用高速複合pチャネルSi/SiGeヘテロ構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-065262   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 半導体装置および半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-087831   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-079338   Applicant：三菱電機株式会社
• シリコン窒化膜及びその形成方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-134660   Applicant：大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-283781   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-011560   Applicant：富士通株式会社