混成集積回路装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：芝野正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001196985
Publication number (International publication number)：2003017631
Application date： Jun. 28, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】従来の混成集積回路装置では、インジェクションモールドの場合は金属細線、半田接合部等をエポキシ樹脂等でコーティングするためコストの問題があり、トランスファーモールドの場合は金属基板を直接モールドする技術が存在しなかった。【解決手段】本発明の混成集積回路装置では、トランスファーモールドにより金属基板31およびAl細線37を直接熱硬化性樹脂により一体にフルモールドする。そのことで、従来におけるリードフレーム型の混成集積回路装置と比較し、本発明では基板31全体で半導体素子35等から発生した熱を発散することができる混成集積回路装置を実現する。

Claim (excerpt)：

少なくとも混成集積回路基板の表面に設けられた導電パターンと、前記導電パターンに実装された半導体素子または受動素子と、前記導線パターンと前記半導体素子または受動素子とを電気的に接続するアルミニウム細線と、前記導電パターンと接続され、出力または入力となり外部に延在されるリードと、前記基板の少なくとも表面をトランスファーモールドにより被覆する熱硬化性樹脂とから成り、前記熱硬化性樹脂は形状が球状であるフィラーを含有し、前記熱硬化性樹脂は低粘性で流動性を有することを特徴とする混成集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 23/29 , H01L 21/56 , H01L 23/31

FI (2)：

H01L 21/56 T , H01L 23/30 R

F-Term (11)：

4M109AA01 , 4M109BA04 , 4M109CA21 , 4M109EA11 , 4M109EB16 , 4M109EC20 , 4M109GA05 , 5F061AA01 , 5F061BA04 , 5F061CA21 , 5F061FA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-218345 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-278903 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置および電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-009229 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page