加工方法及び電子デバイスの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001231432
Publication number (International publication number)：2003045853
Application date： Jul. 31, 2001
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】ガリウムまたはインジウムを含む化合物半導体材料を精度よく高速に加工する。【解決手段】真空容器1内に、ガス供給装置2からアルゴンとヨウ化メタンの混合ガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源4により100MHzの高周波電力をアンテナ5に供給することにより、真空容器1内にプラズマを発生させ、基板電極6上に載置された基板7上に形成されたガリウムまたはインジウムを含む化合物半導体薄膜をエッチングする。

Claim (excerpt)：

真空容器内の基板電極に基板を載置し、真空容器内に1価ハロゲン化メタンガスを含むガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上に形成されたガリウムまたはインジウムを含む化合物半導体薄膜をエッチングすることを特徴とする加工方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01S 5/343 610

FI (3)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/302 F , H01L 29/80 U

F-Term (27)：

5F004AA14 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DB19 , 5F004EB01 , 5F073AA11 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA25 , 5F073EA29 , 5F102GB02 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GN04 , 5F102GR04 , 5F102HC16 , 5F102HC18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

化合物半導体材料のエッチング方法および化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-055313 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法,半導体結晶表面のクリーニング方法,及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-055531 Applicant：三菱電機株式会社
化合物半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-340856 Applicant：日本電信電話株式会社

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Cited by examiner (9)

化合物半導体材料のエッチング方法および化合物半導体装置
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