位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤村康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003039014
Publication number (International publication number)：2003231965
Application date： Sep. 12, 2000
Publication date： Aug. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】光半透過膜における露光波長の半分程度より大きい径であるパーティクルとピンホールの合計数が、1平方センチあたり0.1個以下である位相シフトマスクブランクを製造できる製造装置及び製造方法等を提供する。【解決手段】ハーフトーン型位相シフトマスクブランク製造用のDCマグネトロンスパッタ装置において、例えば、ターゲット面を重力方向に対して下向きに配置し、全面エロージョンカソードを用い、ターゲット端部の角の部分5a及びアースシールドの角の部分を曲面加工(R加工)し、ターゲット端部5b、露出しているバッキングプレート面4b及びアースシールド12の表面を荒らし、アースシールド12をターゲット面dより上部(バッキングプレート側)に配置する。

Claim (excerpt)：

透明基板上に、パターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記薄膜は、真空槽の内部に、スパッタリングターゲットと、ターゲットを装着するマグネトロンカソードと、前記ターゲットに対向して配置された基板ホルダと、真空槽内壁に設置されたシールドとを少なくとも有するDCマグネトロンスパッタ装置であって、ターゲット面は重力方向に対して下向きに配置され、ターゲット上のスパッタされない領域及びシールド面への成膜を低減する機構を有する装置を用いて製造したことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。

IPC (5)：

C23C 14/34 , G03F 1/08 , G03F 1/14 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (6)：

C23C 14/34 C , C23C 14/34 R , G03F 1/08 A , G03F 1/14 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 P

F-Term (12)：

2H095BA01 , 2H095BB03 , 2H095BB25 , 2H095BB30 , 2H095BC26 , 4K029DA10 , 4K029DC01 , 4K029DC20 , 4K029DC21 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029EA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-060925 Applicant：ホーヤ株式会社
スパッタ方法およびスパッタ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-105250 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
半導体素子の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-079823 Applicant：株式会社アドバンスト・ディスプレイ

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