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J-GLOBAL ID:200903038823531284
放射線検出器
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999114944
Publication number (International publication number):2000307145
Application date: Apr. 22, 1999
Publication date: Nov. 02, 2000
Summary:
【要約】【課題】 十分な検出性能を有する放射線検出器を提供する。【解決手段】 この放射線検出器10,10’,10”においては、第1及び第2遮光板2j,2kがアモルファスカーボンからなり、半導体放射線検出素子1と電気的に導通している。双方のアモルファスカーボンを介してバイアス電圧が印加される。複数の放射線検出器10,10’,10”を厚み方向に積層すると、入射する放射線を複数の放射線検出器全体で効率的に検出することができ、放射線検出性能を向上させることができる。
Claim (excerpt):
放射線入射側に設けられる第1遮光板に半導体放射線検出素子を取り付けてなる放射線検出器において、前記第1遮光板はアモルファスカーボンからなり、前記半導体放射線検出素子と電気的に導通していることを特徴とする放射線検出器。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (12):
2G088FF02
, 2G088FF04
, 2G088GG21
, 2G088JJ01
, 2G088JJ08
, 2G088JJ32
, 2G088JJ33
, 2G088JJ37
, 5F088BA03
, 5F088HA10
, 5F088HA20
, 5F088LA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開平1-012582
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半導体放射線検出素子および整流素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-036499
Applicant:富士電機株式会社
-
半導体放射線検出素子および整流素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-203991
Applicant:富士電機株式会社
-
半導体放射線検出素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-020061
Applicant:富士電機株式会社
-
半導体放射線検出素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-054257
Applicant:富士電機株式会社
-
半導体放射線検出素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-000652
Applicant:富士電機株式会社
-
半導体放射線検出素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-312348
Applicant:富士電機株式会社
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