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J-GLOBAL ID:200903038869606939
複合酸化物系誘電体薄膜形成用の溶液原料と誘電体薄膜
Inventor:
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,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
広瀬 章一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998237619
Publication number (International publication number):1999323556
Application date: Aug. 24, 1998
Publication date: Nov. 26, 1999
Summary:
【要約】【課題】 2種以上の有機金属化合物からMOCVD法により複合酸化物 (例、チタン酸バリウムストロンチウム) 系誘電体薄膜を成膜する際の膜の組成制御性と段差被覆性を改善する。【解決手段】 原料有機金属化合物を、アルカン (例、n-ヘキサン) 、シクロアルカン (例、シクロヘキサン) ジアルコキシアルカン (例、 1,2-ジエトキシエタン) 、アルキル置換環式モノエーテル (例、2-メチルテトラヒドロフラン) 、モノもしくはジ分岐アルキルモノエーテル (例、ジイソブチルエーテル)、アルコキシアルコール (例、1-エトキシ-2-プロパノール) 、ジオール (例、プロピレングリコール) よりなる群から選ばれた1種もしくは2種以上の溶媒か、またはアルカンもしくはシクロアルカンと上記の他の有機溶媒またはピリジン系溶媒との混合溶媒に溶解させた溶液をMOCVD法に使用する。
Claim (excerpt):
1種または2種以上の有機金属化合物原料を、環式もしくは非環式ジエーテル、アルキル置換環式モノエーテル、モノもしくはジ分岐アルキルモノエーテル、アルコキシアルコール、ジオール、ならびにアセト酢酸エステルから選ばれた1種または2種以上の溶媒に溶解させた溶液からなる、MOCVD法による複合酸化物系誘電体薄膜形成用の溶液原料。
IPC (3):
C23C 16/40
, C23C 16/18
, H01B 3/00
FI (3):
C23C 16/40
, C23C 16/18
, H01B 3/00 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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化学気相蒸着用金属アルコキシド組成物及びそれを用いた絶縁膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-080524
Applicant:株式会社日鉱共石
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化学的気相成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-213695
Applicant:ソニー株式会社
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酸化物薄膜の製造装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-053189
Applicant:株式会社東芝
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高誘電率薄膜構造、高誘電率薄膜形成方法および高誘電率薄膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-025245
Applicant:三菱電機株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-148046
Applicant:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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高純度銀膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-159312
Applicant:三菱マテリアル株式会社
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