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J-GLOBAL ID：200903059578026975

シーケンシャル化学気相成長法

Inventor：
シャーマン アーサー

About シャーマン アーサー


Applicant, Patent owner：
シャーマン アーサー

About シャーマン アーサー


Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000610879
Publication number (International publication number)：2002541332
Application date： Apr. 14, 2000
Publication date： Dec. 03, 2002
Summary：
【要約】本発明は、低圧で操作される反応チャンバ2又は3、ポンプ38及びガスをバルブ20,22を介して反応チャンバ2又は3に導入するライン18を使用するシーケンシャル化学気相成長法を提供する。第一の反応体28,29が被覆されるパーツ12上に単分子層を形成する一方、第二の反応体が、単分子層に当たる前に、第二の反応体を部分的に分解又は活性化してガス状のラジカルにするラジカル発生装置14,16又は44を通過する。この第二の反応体は必ずしも単分子層を形成する必要はないが、単分子層と反応することができる。過剰な第二の反応体と反応生成物は反応チャンバ2又は3からポンプで吸い出されるかパージされてプロセスサイクルは終了する。パージは例えば、単にラジカル発生装置への電力を止めるだけで、第二の反応体をチャンバに流し続けながら行うことができる。プロセスサイクルは所望の膜厚を成長させるために繰り返すことができる。
Claim (excerpt)：
複数のサイクルを含むシーケンシャル化学気相成長法による薄膜成長方法において、 少なくともひとつのサイクルが、 パーツをチャンバ内にセットし、 前記パーツを、形成される薄膜を構成する元素を含むガス状の第一の反応体に接触させ、少なくとも前記第一の反応体の一部を前記パーツに吸着させ、 前記チャンバから前記ガス状の第一の反応体をパージし、 前記パーツに吸着された前記第一の反応体の一部を、プラズマ放電により生成されたラジカルを含むガス状の第二の反応体に、前記パーツを接触させることにより、元素と化合物のうちのどちらかに転換して、それにより薄膜を形成し、 前記チャンバから前記ガス状の第二の反応体をパージすることを含むことを特徴とする薄膜成長方法。
IPC (4)：
C23C 16/507 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/452 ,  H01L 21/31
FI (4)：
C23C 16/507 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/452 ,  H01L 21/31 B
F-Term (35)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA62 ,  4G075BA06 ,  4G075BC04 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075CA51 ,  4G075CA62 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  5F045AA07 ,  5F045AA16 ,  5F045AD04 ,  5F045BB07 ,  5F045DP02 ,  5F045DP04 ,  5F045DP05 ,  5F045DQ06 ,  5F045EE06 ,  5F045EK02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
  • 特開平1-204434
  • 特開平1-179710
  • 半導体デバイスの金属層形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-174587   Applicant：三星電子株式会社
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