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J-GLOBAL ID：200903039145426544

高周波モジュール

Inventor：
北澤 謙治

About 北澤 謙治


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004049554
Publication number (International publication number)：2005243787
Application date： Feb. 25, 2004
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：
【課題】半導体素子の小型化に伴い放熱経路が減少しているため、金属より熱伝導度が一桁低い導電性樹脂を実装用の接着剤として用いると放熱が不充分となるため、高周波モジュール内部の温度上昇、パワーアンプの効率低下の原因となっていた。【解決手段】誘電体基板2表面にパワーアンプなどの半導体素子4を実装する際、粒径が20nm以下の銀粒子を300°C以下の温度で溶着した有機樹脂を含まない高熱伝導の溶融銀層15をもって実装することにより、熱抵抗を低減し、熱伝導度と放熱性を向上することが出来るため、パワーアンプの効率向上、モジュール内の温度低減を達成できる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
誘電体基板表面に、表面実装部品と、半導体素子を実装搭載してなる高周波モジュールであって、前記表面実装部品が半田層を介して実装され、前記半導体素子が実質的に有機分を含まない溶融銀層を介して実装されていることを特徴とする高周波モジュール。
IPC (6)：
H01L25/04 ,  H01L21/52 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L25/18 ,  H04B1/38
FI (5)：
H01L25/04 Z ,  H01L21/52 E ,  H01L23/40 F ,  H04B1/38 ,  H01L23/36 D
F-Term (9)：
5F036AA01 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F047AA17 ,  5F047BA15 ,  5K011AA16 ,  5K011JA01 ,  5K011KA00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 電力増幅器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-214891   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ, 日立東部セミコンダクタ株式会社
  • 電子回路モジュール
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-050251   Applicant：京セラ株式会社
  • 高周波モジュール
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-295443   Applicant：株式会社日立製作所
Cited by examiner (4)
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