半導体ウエーハ検査方法およびその装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：津川友士
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006095139
Publication number (International publication number)：2007273581
Application date： Mar. 30, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】欠陥の輝度の影響を受けることなく、しかも、配線の向きに拘らず回転処理を施すことなく、欠陥が致命的なものか否かを自動的に分類して判定することにより、オペレータによる欠陥観察を軽減させる。【解決手段】得られた配線パターンのエッジと抽出された欠陥とを重ね合わせ、この状態でエッジを走査することにより、エッジ上に欠陥が存在するか否かを判定する。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

半導体ウエーハのパターン形成面を撮像装置にて撮像し、撮像装置から出力される画像データから欠陥を検出する半導体ウエーハ検査方法であって、撮像装置から出力される画像データから欠陥を抽出するステップと、撮像装置から出力される画像データから直線で構成されるパターンの輪郭を得るステップと、欠陥と直線で構成されるパターンの輪郭とを重ね合わせておいて、直線で構成されるパターンの輪郭を走査するステップと、直線で構成されるパターンの輪郭上に欠陥が存在するか否かを判定し、輪郭上に欠陥が存在することに応答して欠陥が致命的なものであると判定するステップと、を含むことを特徴とする半導体ウエーハ検査方法。

IPC (4)：

H01L 21/66 , G01B 11/30 , G01B 11/24 , G01N 21/956

FI (4)：

H01L21/66 J , G01B11/30 A , G01B11/24 K , G01N21/956 A

F-Term (33)：

2F065AA12 , 2F065AA14 , 2F065AA49 , 2F065AA54 , 2F065BB02 , 2F065CC19 , 2F065FF04 , 2F065FF67 , 2F065JJ03 , 2F065JJ09 , 2F065PP12 , 2F065QQ24 , 2F065QQ32 , 2G051AA51 , 2G051AB01 , 2G051AB07 , 2G051AC02 , 2G051CA04 , 2G051CB01 , 2G051EA11 , 2G051EA14 , 2G051EB05 , 2G051ED04 , 2G051ED11 , 2G051ED22 , 2G051ED30 , 4M106AA01 , 4M106CA39 , 4M106DB04 , 4M106DJ11 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 4M106DJ38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

半導体ウェーハ欠陥検査装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-276813 Applicant：関西日本電気株式会社
核酸リガンドを用いた分離装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-285926 Applicant：旭化成株式会社
パターンの検査方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-260012 Applicant：日本アビオニクス株式会社

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