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J-GLOBAL ID:200903039705765200

ナノ構造体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 西山 恵三 ,  内尾 裕一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005233286
Publication number (International publication number):2006124827
Application date: Aug. 11, 2005
Publication date: May. 18, 2006
Summary:
【課題】 ナノメートル(nm)の細孔で孔径が先細り形状の細孔を製造することができるナノ構造体の製造方法を得ること。【解決手段】 AlもしくはAl合金1を陽極酸化し、孔3を有する陽極酸化皮膜2を形成する陽極酸化工程と、該孔の孔径を広げるポアワイド工程とを交互に繰り返すことにより、該孔の孔径を深さ方向に向かって変化させること。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
AlもしくはAl合金を陽極酸化し、孔を有する陽極酸化皮膜を形成する第1工程を行った後、該陽極酸化皮膜内の孔の孔径を広げる第2工程を行い、その後、該陽極酸化皮膜を陽極酸化し、該陽極酸化皮膜内の孔の孔径を深さ方向に向かって変化させる第3工程を少なくとも1回繰り返すことを特徴とするナノ構造体の製造方法。
IPC (5):
C25D 11/12 ,  C25D 11/04 ,  C25D 11/08 ,  B82B 3/00 ,  G02B 26/10
FI (6):
C25D11/12 Z ,  C25D11/04 302 ,  C25D11/04 301 ,  C25D11/08 ,  B82B3/00 ,  G02B26/10 E
F-Term (2):
2H045AA01 ,  2H045CA63
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (10)
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