磁気メモリセルおよび磁気メモリアレイならびにそれらの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004264384
Publication number (International publication number)：2005094002
Application date： Sep. 10, 2004
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：

【課題】周囲からの磁気的な影響を低減し、安定した磁気情報の書込および読出をおこなうことのできる、高集積化に適した磁気メモリセルを提供する。【解決手段】本発明では、基体1と、この基体1上に選択的に形成されたMTJ素子20と、基体1上の、MTJ素子20が形成された領域以外の領域を覆うと共にMTJ素子20の端面20Sを全て覆うように形成された第1絶縁層41と、この第1絶縁層41を介してMTJ素子20の周囲の一部を取り囲むように形成され、基体1およびMTJ素子20と電気的に絶縁された磁気シールド層30と、MTJ素子20以外の部分を覆うように形成された第2絶縁層42とを備え、MTJ素子20と磁気シールド層30とが互いに静磁結合するように構成する。これにより、MTJ素子20における反転磁界の閾値が安定化し、高集積化した場合であっても安定した磁気情報の書込および読出が可能となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基体と、前記基体上の一部領域に形成された磁気トンネル接合素子と、前記基体上の一部領域以外の領域を覆うと共に、前記磁気トンネル接合素子の端面を全て覆うように形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層を介して前記磁気トンネル接合素子の周囲の少なくとも一部を取り囲むように形成され、前記基体および磁気トンネル接合素子と電気的に絶縁された磁気シールド層と、前記磁気トンネル接合素子以外の部分を覆うように形成された第2絶縁層とを備え、前記磁気トンネル接合素子と前記磁気シールド層とは互いに静磁結合していることを特徴とする磁気メモリセル。

IPC (6)：

H01L27/105 , G11C11/15 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/08 , H01L43/10

FI (7)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 110 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/08 P , H01L43/08 Z , H01L43/10

F-Term (5)：

5E049BA06 , 5E049DB14 , 5E049GC06 , 5F083FZ10 , 5F083GA13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

米国特許第6242770号明細書
米国特許第6166948号明細書
米国特許第5757695号明細書

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Cited by examiner (8)

磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-173394 Applicant：株式会社日立製作所
磁気記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-352784 Applicant：株式会社東芝
磁気メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-255308 Applicant：三洋電機株式会社

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