Pat
J-GLOBAL ID：200903039823645448

半導体受光装置

Inventor：
夏秋 和弘

About 夏秋 和弘

, 
久保 勝

About 久保 勝

, 
福島 稔彦

About 福島 稔彦

, 
福永 直樹

About 福永 直樹

, 
谷 善平

About 谷 善平


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000305768
Publication number (International publication number)：2002118280
Application date： Oct. 05, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 短波長の信号光に対して高感度で高速応答性を有する半導体受光装置を提供する。【解決手段】 半導体受光装置は、第1導電型層2,4上に第2導電型層5が積層された受光領域7,8を含み、その第2導電型層5の表面から所定深さまではSiGe混晶層5,4で構成されており、このSiGe層4,5は、(SiGe層の底面における光の強度)/(SiGe層の表面における光の強度)=0.1となる厚さより小さな厚さを有し、かつ受光装置の動作時に受光領域に印加される逆バイアス電圧の存在下における空乏層の上面がSiGe層の底面以上に至るがその表面までは至ることのない厚さより大きな厚さを有している。
Claim (excerpt)：
半導体受光装置であって、第1導電型層上に第2導電型層が積層された受光領域を含み、前記第2導電型層の表面から所定深さまではSiGe混晶層で構成されており、前記SiGe層は、(SiGe層の底面における光の強度)/(SiGe層の表面における光の強度)=0.1となる厚さより小さな厚さを有し、かつ前記受光装置の動作時に前記受光領域に印加される逆バイアス電圧の存在下における空乏層の上面が前記SiGe層の底面以上に至るがその表面までは至ることのない厚さより大きな厚さを有していることを特徴とする半導体受光装置。
F-Term (13)：
5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA10 ,  5F049NA14 ,  5F049NB08 ,  5F049RA04 ,  5F049RA10 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ12 ,  5F049SZ13 ,  5F049WA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
  • フォトダイオードとその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-140970   Applicant：日本ビクター株式会社
  • 特開平4-342175
  • バイポーラトランジスタおよびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-182417   Applicant：株式会社日立製作所
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM