レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：宮田金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999221021
Publication number (International publication number)：2001044120
Application date： Aug. 04, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高移動度の薄膜トランジスタを実現するために、結晶性に優れた基板上膜材料を形成するレーザ熱処理方法を提供する。【解決手段】基板上膜材料9に対する吸収係数が異なる、第1のパルスレーザ光3と第2のパルスレーザ光4をそれぞれ上記基板上膜材料の同一部分に線状に集光して照射するレーザ熱処理方法。

Claim (excerpt)：

基板上膜材料にレーザ光を吸収させて熱処理するレーザ熱処理方法において、上記基板上膜材料に対する吸収係数が異なる、第1のパルスレーザ光と第2のパルスレーザ光をそれぞれ上記基板上膜材料の同一部分に線状に集光して照射するレーザ熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 21/268 G

F-Term (10)：

5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BA11 , 5F052BA15 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

多結晶シリコンの製造方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-008725 Applicant：三星電子株式会社
レーザーアニーリング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-347875 Applicant：新日本製鐵株式会社
光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-330914 Applicant：株式会社リコー

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