半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001120309
Publication number (International publication number)：2002314018
Application date： Apr. 18, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】省電力で作動可能であるとともに、電気的性能が安定しており、かつ耐久性が高い半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレーム3のドレイン側端子3dのドレイン側ポスト部7dの上に、半導体素子5をそのソース電極4sおよびゲート電極4gが上向きとなる姿勢で接合する。素子5のゲート電極4gとフレーム3のゲート側端子3gのゲート側ポスト部7gとをB’gワイヤ(ボンディングワイヤ)8で電気的に接続する。略板形状に形成されており、かつ、ソース電極4sに接続される部分6aとソース側ポスト部7sに接続される部分6bとの間の中間部6cが、素子5から離間する形状に形成されている1個のアルミニウム製の接続ストラップ6を、その両端部6aおよび6bが、電極4sおよびポスト部7sに直接接触するように、超音波接合により同時に電気的に接合する。

Claim (excerpt)：

複数個の電極を有する半導体素子と、複数個のリードフレームと、前記各電極のうちの少なくとも1個の該電極と、前記各リードフレームのうちの少なくとも1個の該リードフレームとを電気的に接続する、略板形状に形成された電流経路部材と、前記各リードフレーム、前記半導体素子、および前記電流経路部材をパッケージングするハウジングと、を具備し、前記電流経路部材は、該電流経路部材の前記電極に接続される部分と前記リードフレームに接続される部分との間の中間部が、前記半導体素子から離間する形状に形成されているとともに、前記電極および前記リードフレームのそれぞれに直接接触するように設けられることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/48 , H01L 21/60 321 , H01L 21/607 , H01L 29/78 652

FI (4)：

H01L 23/48 P , H01L 21/60 321 E , H01L 21/607 A , H01L 29/78 652 Q

F-Term (2)：

5F044RR04 , 5F044RR08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

半導体パッケ-ジ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-273424 Applicant：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
高周波伝送線路の接続構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-086090 Applicant：京セラ株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-085868 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社

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Cited by examiner (11)

半導体パッケ-ジ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-273424 Applicant：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
高周波伝送線路の接続構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-086090 Applicant：京セラ株式会社
半導体装置及び半導体装置のリードフレーム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-176005 Applicant：松下電子工業株式会社

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